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海特高新(002023)
国内氮化镓正在追赶半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要材料，其发展经历了三个阶段：第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表；第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）；第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石为代表。第三代半导体材料因其禁带宽度（Eg）大于或等于 2.3 电子伏特（eV），又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子 速率等优点，可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。由于性能优越等原因，许多发达国家将第三代半导体材料列入国家计划，竭力抢占战略制高点，我国也早已开始有所部署。2013年国家科技部在“863”计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容，2015年、2016年国家科技重大专项02专项也对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。但总体而言，国内在氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）材料及器件方面的发展起步较晚，与国际水平仍有较大差距，目前正在积极布局中。氮化镓（GaN）方面，除了正在入局的耐威科技外，相关企业还有苏州能讯、中稼半导体、三安光电、海特高新、英诺赛科、江西晶能等。其中，苏州能讯已自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术，是国
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采女古女良的蘑菇：