网友提问：
中国中冶(601618)钪锑碲（SST）器件的操作功耗降低了近10倍
钪锑碲（SST）器件的操作功耗降低了近10倍
网友回复
炎黄两个：
天河应用创新发展 “天河一号”助力超高速相变存储研究
2018-11-29 15:06
导 读
处于数字全球化的今天，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存（SRAM）、内存（DRAM）和闪存（NAND Flash）之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率已成为了电子设备发展的瓶颈。因此，研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失等特点的新式通用式存储介质势在必行。
天津超算中心用户饶峰教授与西安交通大学张伟教授、马恩教授合作，基于“天河一号”在超高速相变存储研究方面取得了重要进展。相关研究成果在Science（《科学》）杂志上发表。
成果信息
饶峰、张伟等人聚焦相变存储器（PCRAM）技术领域，提出了一种全新的超高速相变材料设计方案，即：通过降低非晶相变薄膜形核的随机性实现超高速亚纳秒级结晶化（写）操作。通过理论模拟，设计了新型相变材料钪锑碲（SST）合金，利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程，显著地降低了形核过程的随机性，大幅加快了结晶化（写）操作速度，达到了0.7纳秒的高速可逆操作，循环寿命大于107次。
与传统锗锑碲（GST）器件相比，钪锑碲（SST）器件的操作功耗降低了近10倍，通过材料模拟计算，阐明了超快结晶化以及超低功耗的微观机理。这一研究成果对深入理解和调控非晶态材料的形核与生长机制具有重要的指导意义，并为实现我国自主的通用存储器技术奠定了坚实的基础。
新型钪锑碲相变存储器件-0.7纳秒的高速写入操作及其相变机理
上述研究工作获得了国家自然科学基金项目、深圳市基础研究项目、中科院战略性先导科技专项等项目资助。饶峰教授为论文第一、通讯作者，丁科元博后为共同第一作者。论文的计算工作得到了国家超级计算天津中心的大力支持。
来源：国家超级计算天津中心
天河应用创新发展 “天河一号”助力超高速相变存储研究
2018-11-29 15:06
导 读
处于数字全球化的今天，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存（SRAM）、内存（DRAM）和闪存（NAND Flash）之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率已成为了电子设备发展的瓶颈。因此，研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失等特点的新式通用式存储介质势在必行。
天津超算中心用户饶峰教授与西安交通大学张伟教授、马恩教授合作，基于“天河一号”在超高速相变存储研究方面取得了重要进展。相关研究成果在Science（《科学》）杂志上发表...
炎黄两个：
重磅消息.钪……未来己来！钪锑碲合金近期在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功，副研究员饶峰和他的团队共同完成了这一成果。这种材料可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。这种材料的巨大作用在哪里呢？就是和大家生活息息相关的存储系统。
当然中国 研制这种材料的基本目的是为了为现有的DRAM和SRAM存储器寻求替代者。中国的相变存储器（PCRAM）之所以不能从根本上替代传统的存储器主要是因为存储速度受到影响，一旦这种新材料应用那么速度问题将迎刃而解。
大家都知道今年以来DRAM存储器被韩国垄断，价格开始了疯长的状态，韩国利用技术垄断漫天要价，不仅仅让大型装备处理器使用遭遇瓶颈，更是直接给广大民众的日常使用体验造成了挑战，不少网友抱怨今年这价格涨的都不敢换内存了。
大家都知道现代装备都是智能装备，智能处理已经成为高端装备的基本特征，如果内存长期被他国垄断，不仅仅造价问题，而且在特殊情况下还可能遭遇卡脖子。可以说这次内存异常上涨事件已经给我们敲响了警钟。这次我们取得材料突破，意味着在相变存储器（PCRAM）方面卖出了关键一步。
公开数据可知，PCRAM相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储器的优良特性，而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低、体积小等诸多优势。中国材料速度的提升将会促力相变存储器替代现有高速存储器进入实用，助推计算机整体性能的大幅提升，向更快速、更低功耗、更长寿命方向发展。全球最大的高纯氧化钪研发及生产基地、此项目是中冶集团发展的分水岭标志着进入一个新的发展阶段
来源：中冶集团 作者：宋树涛 发布时间：2017年10月24日 访问量：4449
重磅消息.钪……未来己来！钪锑碲合金近期在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功，副研究员饶峰和他的团队共同完成了这一成果。这种材料可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。这种材料的巨大作用在哪里呢？就是和大家生活息息相关的存储系统。
当然中国 研制这种材料的基本目的是为了为现有的DRAM和SRAM存储器寻求替代者。中国的相变存储器（PCRAM）之所以不能从根本上替代传统的存储器主要是因为存储速度受到影响，一旦这种新材料应用那么速度问题将迎刃而解。
大家都知道今年以来DRAM存储器被韩国垄断，价格开始了疯长的状态，韩国利用技术垄断漫天要价，不仅仅让大型装备处理器使用遭遇瓶颈...
炎黄两个：
！！钪锑碲是制造相变存储器的核心原材料。
中冶全球最大氧化钪锑碲生产商